Инжиниринг и технологии 2016. – Vol. 1(1) СОДЕРЖАНИЕ

Вступительное слово главного редактора

Береги родную природу. Наш красавец снегирь

В. Д. Кревчик

Квантовый размерный эффект и квантовое туннелирование с диссипацией как основа представлений современной наноэлектроники.  Часть I. Классические и квантовые размерные эффекты.

DOI10.21685/2016-1-1

В. Д. Кревчик
П. В. Кревчик
М. Б. Семенов

Квантовый размерный эффект и квантовое туннелирование с диссипацией как основа представлений современной наноэлектроники. Часть II. Квантовое туннелирование с диссипацией.

DOI10.21685/2016-1-2

Р.А. Браже
А.И. Кочаев
Р.М.Мефтахутдинов

Акустические и оптические свойства графенов

DOI10.21685/2016-1-3

А.П.Сигаев
И.А. Аверин

Синтез многокомпонентных материалов для сенсоров и датчиков и их исследование.

DOI10.21685/2016-1-4

Е. С. Беспалов
А. Н. Головяшкин
А. В. Мартынов
С. С. Карташов

Обзор современных методов получения термоэлектрических структур на основе соединений Bi2Te3.

DOI10.21685/2016-1-5

И. А. Аверин
И. А. Пронин
А. А. Карманов

Гомопереходы ZnO/ZnO-Me для чувствительных элементов потенциометрических газовых сенсоров

DOI10.21685/2016-1-6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Вступительное слово главного редактора

 

Береги родную природу. Наш красавец снегирь

 

 

Квантовый размерный эффект и квантовое туннелирование с диссипацией как основа представлений современной наноэлектроники.   Часть I. Классические и квантовые размерные эффекты. В. Д. Кревчик

 

DOI10.21685/2016-1-1

Квантовый размерный эффект и квантовое туннелирование с диссипацией как основа представлений современной наноэлектроники.
Часть
II. Квантовое туннелирование с диссипацией.
В. Д. Кревчик, П. В. Кревчик,                              М. Б. Семенов

 

 DOI10.21685/2016-1-2

Акустические и оптические свойства графенов. Р.А. Браже, А.И. Кочаев,                                  Р.М. Мефтахутдинов

 

DOI10.21685/2016-1-3

Синтез многокомпонентных материалов для сенсоров и датчиков и их исследование. А.П.Сигаев, И.А. Аверин

 

 DOI10.21685/2016-1-4

Обзор современных методов получения термоэлектрических структур на основе соединений Bi2Te3. Е. С. Беспалов, А. Н. Головяшкин, А. В. Мартынов,                                                                 С. С. Карташов

 

 DOI10.21685/2016-1-5

Гомопереходы ZnO/ZnO-Me для чувствительных элементов потенциометрических газовых сенсоров. И. А. Аверин, И. А. Пронин, А. А. Карманов

 

 DOI10.21685/2016-1-6

Дата создания: 04.04.2017 11:22
Дата обновления: 10.05.2017 14:58